對于所有的金屬來說純度是靶材的主要性能指標之一，為什么這么說呢?靶材的純度對后期產品薄膜的性能影響很大。但是每一個產品對靶材的純度要求也有不相同的地方。例如，微電子行業的迅速發展，硅片尺寸由6”, 8“發展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，在以前的技術要求上對于靶材純度是99.995%的靶材是完全可以滿足0.35umIC的工藝要求，但是現在而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

純度說了,再說說靶材的雜質含量.什么是靶材的雜質含量?在經過一系列的靶材工藝處理后靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。因為所處的用處不一樣所以不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。比如現在的半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
靶材的密度
　　密度也是靶材的關鍵性能指標之一.在靶材的技術工藝中為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，一般是要求靶材必須具有較高的密度。因為靶材主要特性密度對濺射速率有著很大的影響，并且影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。

然后來說一說晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材為多晶結構，晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材，晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。